0 0 0
  7. IXTN17N120L

Транзисторные модули MOSFET IXTN17N120L

 
IXTN17N120L
 
IXYS
Артикул: 268710
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 849.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
1,83мкс(1758371)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
15А(1441590)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом(1492457)
Рассеиваемая мощность
540Вт(1741746)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Технология
Linear™(1758588)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
34А(1759386)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXTN17N120L
IXYS
Артикул: 268710
Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 15А; SOT227B; винтами; 540Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 849.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
1,83мкс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
15А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9Ом
Рассеиваемая мощность
540Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
155нC
Технология
Linear™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
34А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g