0 0 0
  7. IXTN200N10L2

Транзисторные модули MOSFET IXTN200N10L2

 
IXTN200N10L2
 
IXYS
Артикул: 935992
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 128.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
245нс(1743783)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
178А(1758339)
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм(1441289)
Рассеиваемая мощность
830Вт(1742094)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
540нC(1748251)
Технология
Linear L2™(1747340)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
500А(1714522)
Дополнительная информация: Масса брутто: 29,6 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXTN200N10L2
IXYS
Артикул: 935992
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 128.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 4 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
245нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
178А
Сопротивление в открытом состоянии
11мОм
Рассеиваемая мощность
830Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
540нC
Технология
Linear L2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
500А
Дополнительная информация: Масса брутто: 29,6 g