0 0 0
  7. IXTN22N100L

Транзисторные модули MOSFET IXTN22N100L

 
IXTN22N100L
 
IXYS
Артикул: 268714
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 774.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
1мкс(1701298)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
22А(1441302)
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом(1459314)
Рассеиваемая мощность
700Вт(1741872)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
0,27мкC(1950540)
Технология
Linear™(1758588)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXTN22N100L
IXYS
Артикул: 268714
Модуль; одиночный транзистор; 1кВ; 22А; SOT227B; винтами; Idm: 50А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 774.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
1мкс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
22А
Сопротивление в открытом состоянии
0,6Ом
Рассеиваемая мощность
700Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
0,27мкC
Технология
Linear™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g