0 0 0
  7. IXTN62N50L

Транзисторные модули MOSFET IXTN62N50L

 
IXTN62N50L
 
IXYS
Артикул: 268723
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 012.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
0,5мкс(1701301)
Напряжение сток-исток
500В(1441382)
Ток стока
62А(1479409)
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом(1492330)
Рассеиваемая мощность
800Вт(1742078)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Заряд затвора
550нC(1758361)
Технология
Linear™(1758588)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Транзисторные модули MOSFET IXTN62N50L
IXYS
Артикул: 268723
Модуль; одиночный транзистор; 500В; 62А; SOT227B; винтами; 800Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
5 012.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
0,5мкс
Напряжение сток-исток
500В
Ток стока
62А
Сопротивление в открытом состоянии
0,1Ом
Рассеиваемая мощность
800Вт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Заряд затвора
550нC
Технология
Linear™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g