0 0 0
  8. IXTP110N055T2

Транзисторы с каналом N THT IXTP110N055T2

 
IXTP110N055T2
 
IXYS
Артикул: 079592
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 180Вт; TO220AB; 38нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
159.21 грн
3+
143.75 грн
9+
114.38 грн
24+
108.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 89 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
38нс(1710452)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
6,6мОм(1599494)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
180Вт(1701962)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
57нC(1479286)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,045 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP110N055T2
IXYS
Артикул: 079592
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 110А; 180Вт; TO220AB; 38нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
159.21 грн
3+
143.75 грн
9+
114.38 грн
24+
108.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 89 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
38нс
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
6,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
180Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
57нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,045 g