0 0 0
  8. IXTP1N120P

Транзисторы с каналом N THT IXTP1N120P

 
IXTP1N120P
 
IXYS
Артикул: 079613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO220AB; 900нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
300.85 грн
3+
270.69 грн
5+
215.91 грн
13+
204.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
900нс(1708304)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
1А(1441586)
Сопротивление в открытом состоянии
20Ом(1459375)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
63Вт(1520822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP1N120P
IXYS
Артикул: 079613
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 1А; 63Вт; TO220AB; 900нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
300.85 грн
3+
270.69 грн
5+
215.91 грн
13+
204.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
900нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
1А
Сопротивление в открытом состоянии
20Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
63Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g