0 0 0
  8. IXTP1R4N100P

Транзисторы с каналом N THT IXTP1R4N100P

 
IXTP1R4N100P
 
IXYS
Артикул: 079615
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
184.87 грн
3+
164.95 грн
8+
131.48 грн
21+
124.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
750нс(1758424)
Напряжение сток-исток
1кВ(1441405)
Ток стока
1,4А(1492328)
Сопротивление в открытом состоянии
11,8Ом(1790197)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
63Вт(1520822)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
17,8нC(1790198)
Технология
Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3А(1709877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP1R4N100P
IXYS
Артикул: 079615
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 1,4А; Idm: 3А; 63Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
184.87 грн
3+
164.95 грн
8+
131.48 грн
21+
124.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
750нс
Напряжение сток-исток
1кВ
Ток стока
1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
11,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
63Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
17,8нC
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g