0 0 0
  8. IXTP1R4N120P

Транзисторы с каналом N THT IXTP1R4N120P

 
IXTP1R4N120P
 
IXYS
Артикул: 079616
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
335.77 грн
3+
301.47 грн
5+
236.87 грн
12+
224.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
900нс(1708304)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
1,4А(1492328)
Сопротивление в открытом состоянии
13Ом(1536826)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
86Вт(1708593)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
24,8нC(1711579)
Технология
Polar™(1742961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
3А(1709877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP1R4N120P
IXYS
Артикул: 079616
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1,2кВ; 1,4А; Idm: 3А; 86Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
335.77 грн
3+
301.47 грн
5+
236.87 грн
12+
224.11 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
900нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
1,4А
Сопротивление в открытом состоянии
13Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
86Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
24,8нC
Технология
Polar™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
3А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g