0 0 0
  8. IXTP60N10T

Транзисторы с каналом N THT IXTP60N10T

 
IXTP60N10T
 
IXYS
Артикул: 079661
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.83 грн
3+
132.14 грн
10+
105.10 грн
26+
99.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 211 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
59нс(1758397)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
176Вт(1740764)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
49нC(1479032)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,062 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP60N10T
IXYS
Артикул: 079661
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 60А; 176Вт; TO220AB; 59нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
146.83 грн
3+
132.14 грн
10+
105.10 грн
26+
99.69 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 211 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
59нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
176Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
49нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,062 g