0 0 0
  8. IXTP80N10T

Транзисторы с каналом N THT IXTP80N10T

 
IXTP80N10T
 
IXYS
Артикул: 079671
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 230Вт; TO220AB; 100нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
222.36 грн
3+
200.92 грн
7+
160.42 грн
17+
151.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 300 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220AB(1440140)
Время готовности
100нс(1440093)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
80А(1479439)
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм(1441294)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
230Вт(1701908)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
60нC(1479310)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTP80N10T
IXYS
Артикул: 079671
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 80А; 230Вт; TO220AB; 100нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
222.36 грн
3+
200.92 грн
7+
160.42 грн
17+
151.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 300 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Время готовности
100нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
80А
Сопротивление в открытом состоянии
14мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
230Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
60нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,07 g