0 0 0
  8. IXTQ200N10T

Транзисторы с каналом N THT IXTQ200N10T

 
IXTQ200N10T
 
IXYS
Артикул: 079690
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
481.41 грн
3+
344.97 грн
8+
325.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Время готовности
76нс(1758341)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
200А(1441529)
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм(1441296)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
550Вт(1758342)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet(1758332)
Заряд затвора
152нC(1743005)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,3 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTQ200N10T
IXYS
Артикул: 079690
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 200А; 550Вт; TO3P; 76нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
481.41 грн
3+
344.97 грн
8+
325.59 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Время готовности
76нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
200А
Сопротивление в открытом состоянии
5,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
550Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
thrench gate power mosfet
Заряд затвора
152нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,3 g