0 0 0
  8. IXTQ30N60P

Транзисторы с каналом N THT IXTQ30N60P

 
IXTQ30N60P
 
IXYS
Артикул: 079699
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 540Вт; TO3P; 500нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
665.14 грн
3+
475.98 грн
6+
449.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO3P(1440948)
Время готовности
0,5мкс(1701301)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
30А(1441514)
Сопротивление в открытом состоянии
0,24Ом(1492482)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
540Вт(1741746)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
82нC(1479300)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,285 g
 
Транзисторы с каналом N THT IXTQ30N60P
IXYS
Артикул: 079699
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 30А; 540Вт; TO3P; 500нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
665.14 грн
3+
475.98 грн
6+
449.63 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 29 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO3P
Время готовности
0,5мкс
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
30А
Сопротивление в открытом состоянии
0,24Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
540Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
82нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 5,285 g