0 0 0
  8. IXTR120P20T

Транзисторы с каналом P THT IXTR120P20T

 
IXTR120P20T
 
IXYS
Артикул: 141180
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -90А; 595Вт; 300нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 070.98 грн
2+
1 958.63 грн
3+
1 957.83 грн
30+
1 925.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ISOPLUS247™(1497066)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
-200В(1441458)
Ток стока
-90А(1643878)
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм(1441272)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
595Вт(1741809)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
740нC(1743013)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,83 g
 
Транзисторы с каналом P THT IXTR120P20T
IXYS
Артикул: 141180
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -200В; -90А; 595Вт; 300нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 070.98 грн
2+
1 958.63 грн
3+
1 957.83 грн
30+
1 925.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
ISOPLUS247™
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
-200В
Ток стока
-90А
Сопротивление в открытом состоянии
32мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
595Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
740нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,83 g