0 0 0
  8. IXTT10P60

Транзисторы с каналом P SMD IXTT10P60

 
IXTT10P60
 
IXYS
Артикул: 140839
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -600В; -10А; 300Вт; TO268; 500нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
850.91 грн
2+
683.97 грн
4+
646.87 грн
30+
633.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Время готовности
0,5мкс(1701301)
Напряжение сток-исток
-600В(1643879)
Ток стока
-10А(1479026)
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом(1441391)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
135нC(1632961)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,05 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IXTT10P60
IXYS
Артикул: 140839
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -600В; -10А; 300Вт; TO268; 500нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
850.91 грн
2+
683.97 грн
4+
646.87 грн
30+
633.74 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Время готовности
0,5мкс
Напряжение сток-исток
-600В
Ток стока
-10А
Сопротивление в открытом состоянии
1Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
135нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4,05 g