0 0 0
  8. IXTT110N10L2

Транзисторы с каналом N SMD IXTT110N10L2

 
IXTT110N10L2
 
IXYS
Артикул: 077177
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 110А; 600Вт; TO268; 230нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 145.94 грн
3+
1 082.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Время готовности
230нс(1733985)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
110А(1479508)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
600Вт(1700331)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
linear power mosfet(1758338)
Заряд затвора
260нC(1479537)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTT110N10L2
IXYS
Артикул: 077177
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 110А; 600Вт; TO268; 230нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 145.94 грн
3+
1 082.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Время готовности
230нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
110А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
600Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
linear power mosfet
Заряд затвора
260нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g