0 0 0
  8. IXTT1N250HV

Транзисторы с каналом N SMD IXTT1N250HV

 
IXTT1N250HV
 
IXYS
Артикул: 077188
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2,5кВ; 1,5А; Idm: 6А; 250Вт; TO268HV
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 900.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Время готовности
2,5мкс(1643376)
Напряжение сток-исток
2,5кВ(1758435)
Ток стока
1,5А(1492350)
Сопротивление в открытом состоянии
40Ом(1707500)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
250Вт(1701928)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
41нC(1479238)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
6А(1790199)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTT1N250HV
IXYS
Артикул: 077188
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2,5кВ; 1,5А; Idm: 6А; 250Вт; TO268HV
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 900.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Время готовности
2,5мкс
Напряжение сток-исток
2,5кВ
Ток стока
1,5А
Сопротивление в открытом состоянии
40Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
250Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
41нC
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
6А
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g