0 0 0
  8. IXTT3N200P3HV

Транзисторы с каналом N SMD IXTT3N200P3HV

 
IXTT3N200P3HV
 
IXYS
Артикул: 077203
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2кВ; 3А; 520Вт; TO268HV; 420нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 009.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268HV(1500575)
Время готовности
420нс(1747345)
Напряжение сток-исток
2кВ(1758433)
Ток стока
3А(1441397)
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTT3N200P3HV
IXYS
Артикул: 077203
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2кВ; 3А; 520Вт; TO268HV; 420нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 009.16 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268HV
Время готовности
420нс
Напряжение сток-исток
2кВ
Ток стока
3А
Сопротивление в открытом состоянии
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
520Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
70нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g