Транзисторы с каналом N SMD IXTT6N120

 
IXTT6N120
 
Артикул: 077213
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 6А; 300Вт; TO268; 850нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
997.01 грн
2+
715.21 грн
4+
676.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO268(1625135)
Время готовности
850нс(1758432)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
(1441388)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
300Вт(1701911)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet(1758416)
Заряд затвора
56нC(1479440)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IXTT6N120
IXYS
Артикул: 077213
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 6А; 300Вт; TO268; 850нс
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
997.01 грн
2+
715.21 грн
4+
676.32 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO268
Время готовности
850нс
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
300Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
standard power mosfet
Заряд затвора
56нC
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 4 g