0 0 0
  8. IXTY18P10T

Транзисторы с каналом P SMD IXTY18P10T

 
IXTY18P10T
 
IXYS
Артикул: 140852
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
234.92 грн
5+
210.97 грн
6+
173.87 грн
16+
163.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 113 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Время готовности
62нс(1739731)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-18А(1478982)
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом(1492377)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
83Вт(1702256)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
39нC(1479127)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,312 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IXTY18P10T
IXYS
Артикул: 140852
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -18А; 83Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
234.92 грн
5+
210.97 грн
6+
173.87 грн
16+
163.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 113 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Время готовности
62нс
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-18А
Сопротивление в открытом состоянии
0,12Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
83Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
39нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,312 g