0 0 0
  8. IXTY26P10T

Транзисторы с каналом P SMD IXTY26P10T

 
IXTY26P10T
 
IXYS
Артикул: 140853
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.92 грн
5+
219.29 грн
6+
175.59 грн
16+
166.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 55 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TO252(1441587)
Время готовности
70нс(1737472)
Напряжение сток-исток
-100В(1478949)
Ток стока
-26А(1743771)
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм(1479066)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
52нC(1479036)
Технология
TrenchP™(1743213)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,315 g
 
Транзисторы с каналом P SMD IXTY26P10T
IXYS
Артикул: 140853
Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; TO252
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
243.92 грн
5+
219.29 грн
6+
175.59 грн
16+
166.06 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 55 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
TO252
Время готовности
70нс
Напряжение сток-исток
-100В
Ток стока
-26А
Сопротивление в открытом состоянии
90мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
150Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
52нC
Технология
TrenchP™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,315 g