0 0 0
  8. IXXH80N65B4D1

Транзисторы IGBT THT IXXH80N65B4D1

 
IXXH80N65B4D1
 
IXYS
Артикул: 221225
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
899.44 грн
2+
640.54 грн
5+
605.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
80А(1441762)
Ток коллектора в импульсе
430А(1746887)
Время включения
125нс(1492941)
Время выключения
222нс(1751571)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
Trench(1712977) XPT™(1746878) GenX4™(1746881)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT IXXH80N65B4D1
IXYS
Артикул: 221225
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 80А; 625Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
899.44 грн
2+
640.54 грн
5+
605.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
430А
Время включения
125нс
Время выключения
222нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
625Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
Trench
Технология
XPT™
Технология
GenX4™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g