0 0 0
  7. IXXN110N65B4H1

Модули IGBT IXXN110N65B4H1

 
IXXN110N65B4H1
 
IXYS
Артикул: 268848
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 881.11 грн
2+
1 779.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
110А(1500580)
Ток коллектора в импульсе
650А(1758533)
Рассеиваемая мощность
750Вт(1741815)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
XPT™(1746878) GenX4™(1746881)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT IXXN110N65B4H1
IXYS
Артикул: 268848
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 650В; Ic: 110А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 881.11 грн
2+
1 779.10 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
650В
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
110А
Ток коллектора в импульсе
650А
Рассеиваемая мощность
750Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
XPT™
Технология
GenX4™
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g