0 0 0
  7. IXXN200N60C3H1

Модули IGBT IXXN200N60C3H1

 
IXXN200N60C3H1
 
IXYS
Артикул: 268852
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 324.25 грн
2+
2 197.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
0,6кВ(1644524)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
98А(1500567)
Ток коллектора в импульсе
1кА(1750642)
Рассеиваемая мощность
780Вт(1741885)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT IXXN200N60C3H1
IXYS
Артикул: 268852
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 600В; Ic: 98А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 324.25 грн
2+
2 197.24 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
0,6кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
98А
Ток коллектора в импульсе
1кА
Рассеиваемая мощность
780Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
XPT™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g