0 0 0
  8. IXXR110N65B4H1

Транзисторы IGBT THT IXXR110N65B4H1

 
IXXR110N65B4H1
 
IXYS
Артикул: 221240
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 70А; 455Вт; PLUS247™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 315.72 грн
2+
938.13 грн
3+
886.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS247™(1692687)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
70А(1441697)
Ток коллектора в импульсе
490А(1750678)
Время включения
65нс(1626412)
Время выключения
250нс(1623070)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
455Вт(1741816)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
183нC(1714108)
Технология
Trench(1712977) XPT™(1746878) GenX4™(1746881)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g
 
Транзисторы IGBT THT IXXR110N65B4H1
IXYS
Артикул: 221240
Транзистор: IGBT; GenX4™; 650В; 70А; 455Вт; PLUS247™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 315.72 грн
2+
938.13 грн
3+
886.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS247™
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
70А
Ток коллектора в импульсе
490А
Время включения
65нс
Время выключения
250нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
455Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
183нC
Технология
Trench
Технология
XPT™
Технология
GenX4™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6 g