0 0 0
  8. IXYB82N120C3H1

Транзисторы IGBT THT IXYB82N120C3H1

 
IXYB82N120C3H1
 
IXYS
Артикул: 221250
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,04кВт; PLUS264™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 787.31 грн
2+
1 690.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
PLUS264™(1699696)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
82А(1594878)
Ток коллектора в импульсе
320А(1750673)
Время включения
119нс(1751577)
Время выключения
295нс(1751710)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
1,04кВт(1742092)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
215нC(1747341)
Технология
Planar(1712978) XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 10,195 g
 
Транзисторы IGBT THT IXYB82N120C3H1
IXYS
Артикул: 221250
Транзистор: IGBT; GenX3™; 1,2кВ; 82А; 1,04кВт; PLUS264™
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 787.31 грн
2+
1 690.09 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
PLUS264™
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
82А
Ток коллектора в импульсе
320А
Время включения
119нс
Время выключения
295нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
1,04кВт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
215нC
Технология
Planar
Технология
XPT™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 10,195 g