0 0 0
  7. IXYN100N120B3H1

Модули IGBT IXYN100N120B3H1

 
IXYN100N120B3H1
 
IXYS
Артикул: 268854
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 76А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 561.71 грн
2+
2 422.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
76А(1441685)
Ток коллектора в импульсе
480А(1713001)
Рассеиваемая мощность
690Вт(1742088)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT IXYN100N120B3H1
IXYS
Артикул: 268854
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 76А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 561.71 грн
2+
2 422.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
76А
Ток коллектора в импульсе
480А
Рассеиваемая мощность
690Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
XPT™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g