Модули IGBT IXYN50N170CV1

 
IXYN50N170CV1
 
Артикул: 268863
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 669.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
IXYS(39)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,7кВ(1441074)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
485А(1750687)
Рассеиваемая мощность
880Вт(1746883)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
XPT™(1746878)
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g
 
Модули IGBT IXYN50N170CV1
IXYS
Артикул: 268863
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,7кВ; Ic: 50А; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 669.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Конструкция диода
одиночный транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
485А
Рассеиваемая мощность
880Вт
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
XPT™
Дополнительная информация: Масса брутто: 30 g