0 0 0
  8. IXYP10N65C3D1M

Транзисторы IGBT THT IXYP10N65C3D1M

 
IXYP10N65C3D1M
 
IXYS
Артикул: 221306
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 7А; 53Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.44 грн
3+
170.23 грн
8+
135.39 грн
21+
128.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
7А(1440930)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Время включения
44нс(1441614)
Время выключения
128нс(1750752)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
53Вт(1740746)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
18нC(1479041)
Технология
Planar(1712978) XPT™(1746878) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,213 g
 
Транзисторы IGBT THT IXYP10N65C3D1M
IXYS
Артикул: 221306
Транзистор: IGBT; GenX3™; 650В; 7А; 53Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
188.44 грн
3+
170.23 грн
8+
135.39 грн
21+
128.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 41 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
7А
Ток коллектора в импульсе
50А
Время включения
44нс
Время выключения
128нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
53Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
18нC
Технология
Planar
Технология
XPT™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,213 g