Модули IGBT MCNA120UI2200PED

 
MCNA120UI2200PED
 
Артикул: 502012
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
9 081.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
IXYS(39)
Корпус
E2-Pack(1593192)
Обратное напряжение макс.
1,7кВ(1441074)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
80А(1441762)
Ток коллектора в импульсе
150А(1441723)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
booster(1712523) 3-phase diode-thyristor bridge(1788805)
Дополнительная информация: Масса брутто: 100 g
 
Модули IGBT MCNA120UI2200PED
IXYS
Артикул: 502012
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,7кВ; Ic: 80А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
9 081.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
E2-Pack
Обратное напряжение макс.
1,7кВ
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
80А
Ток коллектора в импульсе
150А
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
booster
Топология
3-phase diode-thyristor bridge
Дополнительная информация: Масса брутто: 100 g