0 0 0
  7. MKI100-12F8

Модули IGBT MKI100-12F8

 
MKI100-12F8
 
IXYS
Артикул: 268882
Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
12 588.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
E3-Pack(1791009)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
диод/транзистор(1612509)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
125А(1441726)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Рассеиваемая мощность
640Вт(1748243)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
HiPerFRED™(1738383) NPT(1714552)
Топология
Н мост(1612556)
Дополнительная информация: Масса брутто: 300 g
 
Модули IGBT MKI100-12F8
IXYS
Артикул: 268882
Модуль: IGBT; диод/транзистор; Н мост; Urmax: 1,2кВ; Ic: 125А; 640Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
12 588.87 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
E3-Pack
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
диод/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
125А
Ток коллектора в импульсе
200А
Рассеиваемая мощность
640Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
HiPerFRED™
Технология
NPT
Топология
Н мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 300 g