0 0 0
  8. MMIX1F420N10T

Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F420N10T

 
MMIX1F420N10T
 
IXYS
Артикул: 374134
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 941.16 грн
20+
2 897.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Время готовности
140нс(1743126)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
334А(1792108)
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм(1479581)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
680Вт(1743046)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
670нC(1743037)
Технология
HiPerFET™(1667445) GigaMOS™(1717731) Trench™(1743125)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
1кА(1758572)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMIX1F420N10T
IXYS
Артикул: 374134
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 100В; 334А; Idm: 1кА; 680Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 941.16 грн
20+
2 897.88 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Время готовности
140нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
334А
Сопротивление в открытом состоянии
2,6мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
680Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
670нC
Технология
HiPerFET™
Технология
GigaMOS™
Технология
Trench™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
1кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g