0 0 0
  8. MMIX1G120N120A3V1

Транзисторы IGBT SMD MMIX1G120N120A3V1

 
MMIX1G120N120A3V1
 
IXYS
Артикул: 220595
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 183.53 грн
20+
4 119.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
105А(1590108)
Ток коллектора в импульсе
700А(1750620)
Время включения
105нс(1750821)
Время выключения
1365нс(1751713)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
400Вт(1700319)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
420нC(1711582)
Технология
BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX1G120N120A3V1
IXYS
Артикул: 220595
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,2кВ; 105А; 400Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
4 183.53 грн
20+
4 119.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
105А
Ток коллектора в импульсе
700А
Время включения
105нс
Время выключения
1365нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
400Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
420нC
Технология
BiMOSFET™
Технология
GenX3™
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g