0 0 0
  8. MMIX1G320N60B3

Транзисторы IGBT SMD MMIX1G320N60B3

 
MMIX1G320N60B3
 
IXYS
Артикул: 220596
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 364.56 грн
20+
3 311.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
180А(1500555)
Ток коллектора в импульсе
1кА(1750642)
Время включения
107нс(1748239)
Время выключения
595нс(1751507)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
1кВт(1701923)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
585нC(1750622)
Технология
BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877) PT(1746896)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX1G320N60B3
IXYS
Артикул: 220596
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 180А; 1кВт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 364.56 грн
20+
3 311.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
180А
Ток коллектора в импульсе
1кА
Время включения
107нс
Время выключения
595нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
1кВт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
585нC
Технология
BiMOSFET™
Технология
GenX3™
Технология
PT
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g