0 0 0
  8. MMIX1T550N055T2

Транзисторы с каналом N SMD MMIX1T550N055T2

 
MMIX1T550N055T2
 
IXYS
Артикул: 374136
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 966.19 грн
20+
2 913.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Время готовности
100нс(1440093)
Напряжение сток-исток
55В(1441361)
Ток стока
550А(1743058)
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм(1479620)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
830Вт(1742094)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
595нC(1743059)
Технология
GigaMOS™(1717731) TrenchT2™(1743041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2кА(1792109)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8,04 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMIX1T550N055T2
IXYS
Артикул: 374136
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 55В; 550А; Idm: 2кА; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 966.19 грн
20+
2 913.64 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Время готовности
100нс
Напряжение сток-исток
55В
Ток стока
550А
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
830Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
595нC
Технология
GigaMOS™
Технология
TrenchT2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 8,04 g