0 0 0
  8. MMIX1T600N04T2

Транзисторы с каналом N SMD MMIX1T600N04T2

 
MMIX1T600N04T2
 
IXYS
Артикул: 374137
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 305.70 грн
2+
2 180.48 грн
3+
2 179.69 грн
20+
2 153.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Время готовности
100нс(1440093)
Напряжение сток-исток
40В(1441244)
Ток стока
600А(1714528)
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм(1479620)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
830Вт(1742094)
Полярность
полевой(1441242)
Заряд затвора
590нC(1758331)
Технология
GigaMOS™(1717731) TrenchT2™(1743041)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2кА(1792109)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8,08 g
 
Транзисторы с каналом N SMD MMIX1T600N04T2
IXYS
Артикул: 374137
Транзистор: N-MOSFET; GigaMOS™; полевой; 40В; 600А; Idm: 2кА; 830Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 305.70 грн
2+
2 180.48 грн
3+
2 179.69 грн
20+
2 153.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 20 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Время готовности
100нс
Напряжение сток-исток
40В
Ток стока
600А
Сопротивление в открытом состоянии
1,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
830Вт
Полярность
полевой
Заряд затвора
590нC
Технология
GigaMOS™
Технология
TrenchT2™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 8,08 g