0 0 0
  8. MMIX1X100N60B3H1

Транзисторы IGBT SMD MMIX1X100N60B3H1

 
MMIX1X100N60B3H1
 
IXYS
Артикул: 220597
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 696.23 грн
2+
1 604.01 грн
20+
1 576.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
68А(1750818)
Ток коллектора в импульсе
440А(1750630)
Время включения
92с(1750819)
Время выключения
350нс(1702065)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
400Вт(1700319)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
143нC(1479555)
Технология
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX1X100N60B3H1
IXYS
Артикул: 220597
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 68А; 400Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 696.23 грн
2+
1 604.01 грн
20+
1 576.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
68А
Ток коллектора в импульсе
440А
Время включения
92с
Время выключения
350нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
400Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
143нC
Технология
XPT™
Технология
BiMOSFET™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g