0 0 0
  8. MMIX1X200N60B3H1

Транзисторы IGBT SMD MMIX1X200N60B3H1

 
MMIX1X200N60B3H1
 
IXYS
Артикул: 220599
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 811.55 грн
20+
2 767.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
72А(1500598)
Ток коллектора в импульсе
1кА(1750642)
Время включения
140нс(1441671)
Время выключения
395нс(1751506)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
520Вт(1741786)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
315нC(1750634)
Технология
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX1X200N60B3H1
IXYS
Артикул: 220599
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 600В; 72А; 520Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 811.55 грн
20+
2 767.27 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
72А
Ток коллектора в импульсе
1кА
Время включения
140нс
Время выключения
395нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
520Вт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
315нC
Технология
XPT™
Технология
BiMOSFET™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g