0 0 0
  8. MMIX1X340N65B4

Транзисторы IGBT SMD MMIX1X340N65B4

 
MMIX1X340N65B4
 
IXYS
Артикул: 220600
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 036.07 грн
20+
2 988.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
295А(1751576)
Ток коллектора в импульсе
1,2кА(1750610)
Время включения
119нс(1751577)
Время выключения
346нс(1751578)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
1,2кВт(1750657)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
553нC(1750652)
Технология
XPT™(1746878) BiMOSFET™(1742772) GenX3™(1746877)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX1X340N65B4
IXYS
Артикул: 220600
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 650В; 295А; 1,2кВт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 036.07 грн
20+
2 988.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
295А
Ток коллектора в импульсе
1,2кА
Время включения
119нс
Время выключения
346нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
1,2кВт
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
553нC
Технология
XPT™
Технология
BiMOSFET™
Технология
GenX3™
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g