0 0 0
  8. MMIX4B22N300

Транзисторы IGBT SMD MMIX4B22N300

 
MMIX4B22N300
 
IXYS
Артикул: 220602
Транзистор: IGBT x4; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 075.86 грн
20+
7 837.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SMPD(1737036)
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ(1742767)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
22А(1441633)
Ток коллектора в импульсе
165А(1750695)
Время включения
743нс(1750696)
Время выключения
1,87мкс(1750697)
Тип транзистора
IGBT x4(1941656)
Рассеиваемая мощность
150Вт(1701910)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный(1698741)
Заряд затвора
110нC(1479315)
Технология
BiMOSFET™(1742772)
Топология
Н мост(1612556)
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g
 
Транзисторы IGBT SMD MMIX4B22N300
IXYS
Артикул: 220602
Транзистор: IGBT x4; BiMOSFET™; 3кВ; 22А; 150Вт; SMPD
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
8 075.86 грн
20+
7 837.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Монтаж
SMD
Корпус
SMPD
Напряжение коллектор-эмиттер
3кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
22А
Ток коллектора в импульсе
165А
Время включения
743нс
Время выключения
1,87мкс
Тип транзистора
IGBT x4
Рассеиваемая мощность
150Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
высоковольтный
Заряд затвора
110нC
Технология
BiMOSFET™
Топология
Н мост
Дополнительная информация: Масса брутто: 8 g