0 0 0
  7. VMO550-01F

Транзисторные модули MOSFET VMO550-01F

 
VMO550-01F
 
IXYS
Артикул: 372694
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
29 687.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
Y3-DCB(1790523)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
590А(1790511)
Сопротивление в открытом состоянии
2,1мОм(1479565)
Рассеиваемая мощность
2,2кВт(1701933)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
2мкC(1790513)
Технология
HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2,36кА(1790512)
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g
 
Транзисторные модули MOSFET VMO550-01F
IXYS
Артикул: 372694
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 590А; Y3-DCB; Idm: 2,36кА; 2мкC
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
29 687.00 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
Y3-DCB
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
590А
Сопротивление в открытом состоянии
2,1мОм
Рассеиваемая мощность
2,2кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
2мкC
Технология
HiPerFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2,36кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g