0 0 0
  7. VMO650-01F

Транзисторные модули MOSFET VMO650-01F

 
VMO650-01F
 
IXYS
Артикул: 372697
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
17 134.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
Y3-DCB(1790523)
Конструкция диода
одиночный транзистор(1612385)
Время готовности
300нс(1440076)
Напряжение сток-исток
100В(1441364)
Ток стока
690А(1790514)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм(1479613)
Рассеиваемая мощность
2,5кВт(1741869)
Полярность
полевой(1441242)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
транзисторный(1593952)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
2,3мкC(1790516)
Технология
HiPerFET™(1667445)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
2,78кА(1790515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g
 
Транзисторные модули MOSFET VMO650-01F
IXYS
Артикул: 372697
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 690А; Y3-DCB; Idm: 2,78кА
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
17 134.97 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
Y3-DCB
Конструкция диода
одиночный транзистор
Время готовности
300нс
Напряжение сток-исток
100В
Ток стока
690А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм
Рассеиваемая мощность
2,5кВт
Полярность
полевой
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
транзисторный
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
2,3мкC
Технология
HiPerFET™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
2,78кА
Дополнительная информация: Масса брутто: 50 g