0 0 0
  7. VVZB170-16IOXT

Модули IGBT VVZB170-16IOXT

 
VVZB170-16IOXT
 
IXYS
Артикул: 372826
Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 163.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
IXYS(39)
Корпус
E2-Pack(1593192)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
diode/thyristor/IGBT(1788743)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
140А(1478938)
Ток коллектора в импульсе
300А(1441736)
Применение
инвертор(1612514)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Электрический монтаж
Press-in PCB(1790884)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Технология
X2PT(1791011)
Топология
booster(1712523) термистор NTC(1612513) 3-phase diode-thyristor bridge(1788805)
Дополнительная информация: Масса брутто: 10 g
 
Модули IGBT VVZB170-16IOXT
IXYS
Артикул: 372826
Модуль: IGBT; диод/тиристор/БТИЗ; boost chopper; Urmax: 1,2кВ
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 163.26 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
IXYS
Корпус
E2-Pack
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
diode/thyristor/IGBT
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
140А
Ток коллектора в импульсе
300А
Применение
инвертор
Рассеиваемая мощность
500Вт
Электрический монтаж
Press-in PCB
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Технология
X2PT
Топология
booster
Топология
термистор NTC
Топология
3-phase diode-thyristor bridge
Дополнительная информация: Масса брутто: 10 g