0 0 0
  8. 8.0SMDJ15A-T7

Диоды transil SMD однонаправленные 8.0SMDJ15A-T7

 
8.0SMDJ15A-T7
 
LITTELFUSE
Артикул: 743697
Диод: TVS; 8кВт; 16,7÷18,5В; 327,9А; однонаправленный; ±5%; DO214AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
198.60 грн
5+
179.28 грн
7+
150.69 грн
18+
142.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LITTELFUSE(454)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
DO214AB(1440540)
Погрешность
±5%(1819321)
Обратное напряжение макс.
15В(1440490)
Конструкция диода
однонаправленный(1440398)
Импульсный ток
327,9А(1704993)
Напряжение пробоя
16,7...18,5В(1711323)
Ток утечки
0,1мА(1897472)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Тип диода
защитный(1440400)
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated(1617588)
Peak pulse power dissipation
8кВт(1911819)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,21 g
 
Диоды transil SMD однонаправленные 8.0SMDJ15A-T7
LITTELFUSE
Артикул: 743697
Диод: TVS; 8кВт; 16,7÷18,5В; 327,9А; однонаправленный; ±5%; DO214AB
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
198.60 грн
5+
179.28 грн
7+
150.69 грн
18+
142.19 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LITTELFUSE
Монтаж
SMD
Корпус
DO214AB
Погрешность
±5%
Обратное напряжение макс.
15В
Конструкция диода
однонаправленный
Импульсный ток
327,9А
Напряжение пробоя
16,7...18,5В
Ток утечки
0,1мА
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Тип диода
защитный
Характеристики полупроводниковых элементов
glass passivated
Peak pulse power dissipation
8кВт
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,21 g