0 0 0
  8. LGB8207ATH

Транзисторы IGBT SMD LGB8207ATH

 
LGB8207ATH
 
LITTELFUSE
Артикул: 585184
Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.32 грн
5+
88.99 грн
15+
71.51 грн
39+
67.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LITTELFUSE(454)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
365В(1862555)
Напряжение затвор - эмиттер
±15В(1862556)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
automotive industry(1821825) системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
165Вт(1740783)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы IGBT SMD LGB8207ATH
LITTELFUSE
Артикул: 585184
Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
99.32 грн
5+
88.99 грн
15+
71.51 грн
39+
67.53 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LITTELFUSE
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
365В
Напряжение затвор - эмиттер
±15В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
50А
Тип транзистора
IGBT
Применение
automotive industry
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
165Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g