0 0 0
  8. LSIC1MO120G0025

Транзисторы с каналом N THT LSIC1MO120G0025

 
LSIC1MO120G0025
 
LITTELFUSE
Артикул: 842426
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; Idm: 200А; 500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 586.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LITTELFUSE(454)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
70А(1441315)
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм(1441552)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
500Вт(1701905)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
265нC(1758460)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LSIC1MO120G0025
LITTELFUSE
Артикул: 842426
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 70А; Idm: 200А; 500Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 586.99 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LITTELFUSE
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
70А
Сопротивление в открытом состоянии
25мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
500Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
265нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g