0 0 0
  8. NGB8207ABNT4G

Транзисторы IGBT SMD NGB8207ABNT4G

 
NGB8207ABNT4G
 
LITTELFUSE
Артикул: 585190
Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.15 грн
5+
101.20 грн
13+
80.48 грн
34+
76.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LITTELFUSE(454)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
365В(1862555)
Напряжение затвор - эмиттер
±15В(1862556)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
50А(1441694)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Применение
системы зажигания(1862559)
Рассеиваемая мощность
165Вт(1740783)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711) logic level(1712724)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g
 
Транзисторы IGBT SMD NGB8207ABNT4G
LITTELFUSE
Артикул: 585190
Транзистор: IGBT; 365В; 20А; 165Вт; D2PAK; системы зажигания
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
113.15 грн
5+
101.20 грн
13+
80.48 грн
34+
76.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LITTELFUSE
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
365В
Напряжение затвор - эмиттер
±15В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
50А
Тип транзистора
IGBT
Применение
системы зажигания
Рассеиваемая мощность
165Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Дополнительная информация: Масса брутто: 1 g