0 0 0
  8. LGE3M14120Q

Транзисторы с каналом N THT LGE3M14120Q

 
LGE3M14120Q
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966287
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 615.62 грн
900+
3 497.06 грн
1800+
3 476.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
108А(1492245)
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм(1441559)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
625Вт(1741891)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
230нC(1694419)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-4...18В(1981581)
Ток стока в импульсном режиме
340А(1758575)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M14120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966287
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 108А; Idm: 340А; 625Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 615.62 грн
900+
3 497.06 грн
1800+
3 476.14 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
108А
Сопротивление в открытом состоянии
18мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
625Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
230нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-4...18В
Ток стока в импульсном режиме
340А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g