0 0 0
  8. LGE3M160120B

Транзисторы с каналом N THT LGE3M160120B

 
LGE3M160120B
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966284
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
755.84 грн
2+
535.58 грн
6+
506.99 грн
10+
506.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
14А(1441298)
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом(1638681)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
134Вт(1741880)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
43нC(1479408)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M160120B
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 966284
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 14А; Idm: 48А; 134Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
755.84 грн
2+
535.58 грн
6+
506.99 грн
10+
506.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
14А
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
134Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
43нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 3 g