0 0 0
  8. LGE3M160120E

Транзисторы с каналом N SMD LGE3M160120E

 
LGE3M160120E
 
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982846
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
707.86 грн
2+
500.75 грн
5+
499.98 грн
6+
472.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом(1638681)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
127Вт(1741937)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
38А(1825889)
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD LGE3M160120E
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 982846
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 11А; Idm: 38А; 127Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
707.86 грн
2+
500.75 грн
5+
499.98 грн
6+
472.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,285Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
127Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
42нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
38А
Дополнительная информация: Масса брутто: 1,5 g