Транзисторы с каналом N THT LGE3M25120Q

 
LGE3M25120Q
 
Артикул: 975347
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 394.80 грн
2+
1 318.51 грн
900+
1 268.44 грн
1800+
1 266.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC(1172)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
60А(1441312)
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм(1479149)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
370Вт(1741804)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Заряд затвора
54нC(1479413)
Технология
SiC(1591568)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...20В(1981130)
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g
 
Транзисторы с каналом N THT LGE3M25120Q
LUGUANG ELECTRONIC
Артикул: 975347
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 60А; Idm: 200А; 370Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 394.80 грн
2+
1 318.51 грн
900+
1 268.44 грн
1800+
1 266.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
LUGUANG ELECTRONIC
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
60А
Сопротивление в открытом состоянии
43мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
370Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Заряд затвора
54нC
Технология
SiC
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...20В
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 5 g